RF分野においては，ここ数年，ミリ波帯の発表が急増しているが，今年の発表では回路技術自身の進化のほか，新しいアプリケーションへの対応の提案やミリ波ならではの回路方式の提案に注目が集まった。

半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」のSession12「Emerging Medical Applications」では，聴衆の関心が高かったSession6「Displays & Biomedical Devices」に引き続き，医療関連の回路技術についての発表が揃った。

「ISSCC 2010」のSession21「Successive-Approximation ADCs」では，逐次比較型A-D変換器だけで一つのセッションができるほど性能などが進歩した。

「ISSCC 2010」のセッション27「Directions in Health，Energy & RF」では，大きく三つのカテゴリから成る合計10件の発表が揃った。

半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」のSession14「Non-Volatile Memory」では，MRAM，PCM，FeRAM などの不揮発性メモリの発表が揃った。

「ISSCC 2010」の「Session 13: Frequency & Clock Synthesis」は，分周器・位相比較器・ループフィルタ・VCOから構成されるアナログ方式のPLLに関するセッションである。米SiTime社らが発表したMEMS発振器向けのFractional-N PLL（論文番号13.1）と，富士通研究所が発表した面積が0.3mm2と小さいISDB-T向けFractional-N PLLが注目である。一方，「Session 26: High-Performance & Digital PLLs」では，TDC（time-to-digital converter)やサブサンプリング技術を用いるデジタル方式のPLLのセッションである。TDCの線形性や分解能向上，低消費電力化の発表が相次いだ（論文番号26.1, 26.2, 26.3, 26.5,26.7, 26.8)。昨年

2010年2月8日から開催中の半導体関連の国際会議「ISSCC 2010」。Session 6の「Displays & Biomedical Devices」では，バイオ・医療に関する発表が6件，ディスプレイに関する発表が3件あった。バイオ・医療のセッションは，300人ほど入る会場がほぼ満席になり，活発な議論が交わされた。昨年同様，この分野への関心の高さがうかがえた。

「ISSCC2010」のSession 20「Next-Generation Optical & Electrical Interfaces」では，サーバ・バックプレーンなどGビット／秒（Gbps）級の高速インターコネクトに関して，高速化に伴い増大する信号歪みへの対応を低消費電力で実現する技術が盛り込まれた。トランシーバの単位ビット当たりの消費電力(mW/Gbps)は年々減少しているが，今回初めて，Gbps伝送あたりの消費電力が1mW以下となるトランシーバが実現された（論文番号20.5，日立製作所）。クロック伝送やCDRなどに様々な技術を組み合せ，マイルストーンとなるデータを達成した。

「ISSCC 2010」のセッション5「Processors」とセッション9「Digital Circuits & Sensors」では，NoC（network on chip）などチップ内接続方式に関する発表が集まった。特に，米Intel Corp.からは全部で4件の発表があり，同社の注力度と技術が特出していることが伺われる。

とどまるところを知らない高速・高性能化と低消費電力化の両立。LSI技術の国際会議「ISSCC 2010」のSession 18「Power Efficient Media Processing」のハイライトは，これを実現するための高エネルギー効率化技術である。今回の発表では，マルチコア，並列処理，動的再合成（リコンフィギャラブル）などをキーワードに，高速・高性能でありながら低消費電力化を可能にする多様な設計技術が提案された。回路レベルからシステム・レベルまでを協調させる高性能化技術や多様化技術の開発が今後はより一層加速されていく方向が明確に示されたといえる。

スイスNumonyx社は，45nm世代の1Gビット相変化メモリ（phase change memory：PCM）を，半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」で発表した（講演番号14.8）。

慶応義塾大学 理工学部 電子工学科 教授の黒田忠広氏らの研究グループは，非接触メモリ・カードに向け，磁界結合を利用して0.5mm～1mmの距離を2.5Gビット/秒のデータ転送速度で高速に通信する技術を開発した（講演番号14.5）。

NECは，LSIの駆動条件を，経時劣化の度合いに応じてチップ上の領域ごとに制御する技術を開発した。経時劣化を仮定してLSIを構成する全トランジスタの駆動電圧を一律に高める手法に比べて，消費電力を半減できるとする。

「ISSCC2010」のSession15「Low -Power Processor & Communication」では，スマートフォン向けのGHz級プロセサ関連の発表と第4世代移動通信システムの技術を先取りする発表が注目を集めた。

シームレスな無線接続を目指したマルチバンド・マルチモード無線LSIにおいて，今回の「ISSCC 2010」では大きな進展が見られた。Session 25の「Wireless Connectivity」では，無線LANとBluetooth，FMラジオに対応し，パワー・アンプまで内蔵した米Broadcom社の最高集積度のマルチモードSoCや，45nm世代のCMOSプロセスによる0.1-3GHz帯対応のベルギーIMECのマルチスタンダード・トランシーバ，韓国Samsung Electronics社やAnalog Devices社によるISDB-T/DVB-Hデジタル・テレビ対応トランシーバ/SoCなど，複数の無線接続が可能なチップが続々登場した。 前回の2009年までのISSCCにおいても，複数方式の無線に対応したチップの発表はあったが，今回は特に幅広い分野でのマルチバンド・モード対応チップの開

「ISSCC 2010」のSession 19「High-Performance Embedded Memory」は，2月10日の午前に開催され，高性能マイクロプロセサ混載向け高速DRAMの発表が1件，低電圧化とバラつき問題を克服し32nm世代の最小セル面積0.149μm2を実現するSRAMなど，SRAM関連の発表が8件あった。

半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」のSession 24「DRAM and Flash Memory」では，メモリ市場を牽引するDRAMとNANDフラッシュ・メモリに関する実用的な技術が発表された。

米Unity Semiconductor社は，金属酸化物（CMOx）を記憶素子に利用した64Mビットの抵抗変化型メモリを，半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」で発表した（講演番号14.3）。

【ISSCC】東芝，垂直磁化を利用した64Mビットのスピン注入方式MRAMを開発，1.2V供給時にサイクル時間30ns

5～10年後を視野に入れた新規回路技術を紹介する「Technology Direction」のセッションの一つを構成する本セッションでは，Session7「Designing in Emerging Technologies」というテーマで，新しいデバイス技術に向けた回路設計に関する発表が行われた。